La deposición química de vapor mediante compuestos organometálicos (MOCVD) es un proceso de crecimiento epitaxial utilizado para depositar capas delgadas de átomos sobre una oblea de semiconductor. Funciona inyectando gases precursores organometálicos en una cámara de reacción calentada, donde se descomponen y dejan una película cristalina de gran pureza. Este método se utiliza mucho para fabricar LED, láseres y transistores de alta movilidad de electrones, donde se requiere un control preciso del espesor y la composición de las capas.
We need to calibrate the MOCVD reactor before running the next batch of gallium nitride wafers.
En español sencillo Tenemos que calibrar el reactor MOCVD antes de procesar el siguiente lote de obleas de nitruro de galio.
MOCVD y MOVPE (epitaxia en fase de vapor mediante compuestos organometálicos) suelen referirse exactamente al mismo proceso, y la elección del término depende en gran medida del laboratorio o la región específicos.