Le dépôt chimique en phase vapeur d'organométalliques est un processus de croissance épitaxiale utilisé pour déposer de fines couches d'atomes sur une plaquette de semi-conducteur. Il fonctionne en injectant des gaz précurseurs organométalliques dans une chambre de réaction chauffée, où ils se décomposent et laissent derrière eux un film cristallin de haute pureté. Cette méthode est fortement utilisée pour fabriquer des LED, des lasers et des transistors à haute mobilité d'électrons où un contrôle précis de l'épaisseur et de la composition des couches est requis.
We need to calibrate the MOCVD reactor before running the next batch of gallium nitride wafers.
En français simple Nous devons calibrer le réacteur MOCVD avant de lancer le prochain lot de plaquettes de nitrure de gallium.
Le MOCVD et la MOVPE (épitaxie en phase vapeur d'organométalliques) font généralement référence au même processus, le choix du terme dépendant largement du laboratoire ou de la région spécifique.