Métal-oxyde-semi-conducteur fait référence à l'empilement physique de matériaux utilisé pour fabriquer la région de grille d'un transistor à effet de champ. Une couche conductrice de métal ou de silicium polycristallin repose sur une fine couche isolante de dioxyde de silicium, qui repose elle-même sur un substrat de silicium dopé. L'application d'une tension sur la grille crée un champ électrique qui contrôle le flux de courant dans le substrat situé en dessous.
The new fab line is optimized for advanced MOS processes, but we're still seeing unacceptable gate leakage.
En français simple La nouvelle ligne de fabrication est optimisée pour les processus MOS avancés, mais nous constatons toujours des fuites de grille inacceptables.
Bien que le « M » signifie métal, le silicium polycristallin a largement remplacé le métal réel pour le matériau de grille dans de nombreux processus de fabrication historiques et actuels.
Termes associés
MOSFET
Un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur est un commutateur commandé en tension utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
CMOS
Technologie de fabrication dominante pour les circuits intégrés, utilisant des transistors à effet de champ complémentaires.
pMOS
Un transistor à effet de champ qui utilise des porteurs de charge positive pour conduire le courant.
nMOS
Un type de transistor à effet de champ qui utilise des électrons chargés négativement comme principaux porteurs de charge.