Metal oxide semiconductor (Metall-Oxid-Halbleiter) bezieht sich auf den physischen Materialstapel, der zur Herstellung des Gate-Bereichs eines Feldeffekttransistors verwendet wird. Eine leitfähige Metall- oder Polysiliziumschicht liegt über einer dünnen isolierenden Siliziumdioxidschicht, die wiederum auf einem dotierten Siliziumsubstrat ruht. Das Anlegen einer Spannung an das Gate erzeugt ein elektrisches Feld, das den Stromfluss im darunter liegenden Substrat steuert.
The new fab line is optimized for advanced MOS processes, but we're still seeing unacceptable gate leakage.
In klarem Deutsch Die neue Fertigungslinie ist für fortschrittliche MOS-Prozesse optimiert, aber wir sehen immer noch eine inakzeptable Gate-Leckage.
Obwohl das 'M' für Metall steht, hat Polysilizium in vielen historischen und aktuellen Herstellungsprozessen echtes Metall als Gate-Material weitgehend ersetzt.
Verwandte Begriffe
MOSFET
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist ein spannungsgesteuerter Schalter, der zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet wird.
CMOS
Komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter ist die dominierende Herstellungstechnologie für integrierte Schaltungen.
pMOS
Ein Feldeffekttransistor, der positive Ladungsträger zur Stromleitung nutzt.
nMOS
Ein Typ von Feldeffekttransistor, der negativ geladene Elektronen als primäre Ladungsträger nutzt.