Metalorganic vapor-phase epitaxy ist ein Kristallwachstumsverfahren, bei dem Halbleiterschichten Atom für Atom auf einem Substrat aufgebaut werden. Es verwendet hochreine metallorganische Verbindungen und Hydride als Vorläufergase, die in einer beheizten Kammer reagieren, um präzise kristalline Strukturen zu bilden. Dieses Verfahren ist unverzichtbar für die Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid oder Indiumphosphid, die häufig in LEDs, Lasern und Hochfrequenz-HF-Bauelementen verwendet werden.
We need to recalibrate the MOVPE reactor temperatures before we start the next batch of blue LEDs.
In klarem Deutsch Wir müssen die Temperaturen des MOVPE-Reaktors neu kalibrieren, bevor wir mit der nächsten Charge blauer LEDs beginnen.
Auch bekannt als
- MOCVD
- metalorganic vapor-phase epitaxy