Metalorganic chemical vapor deposition ist ein epitaktisches Wachstumsverfahren, mit dem dünne Atomschichten auf einen Halbleiterwafer aufgebracht werden. Es funktioniert durch das Einleiten metallorganischer Vorläufergase in eine beheizte Reaktionskammer, wo sie sich zersetzen und einen hochreinen kristallinen Film hinterlassen. Diese Methode wird häufig zur Herstellung von LEDs, Lasern und Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit eingesetzt, bei denen eine präzise Kontrolle der Schichtdicke und -zusammensetzung erforderlich ist.
We need to calibrate the MOCVD reactor before running the next batch of gallium nitride wafers.
In klarem Deutsch Wir müssen den MOCVD-Reaktor kalibrieren, bevor wir die nächste Charge Galliumnitrid-Wafer verarbeiten.
MOCVD und MOVPE (metalorganic vapor-phase epitaxy) beziehen sich in der Regel auf genau denselben Prozess, wobei die Wahl des Begriffs weitgehend vom jeweiligen Labor oder der Region abhängt.