La epitaxia en fase de vapor mediante compuestos organometálicos (MOVPE) es una técnica de crecimiento de cristales que construye capas de semiconductores sobre un sustrato átomo a átomo. Utiliza compuestos organometálicos e hidruros de gran pureza como gases precursores, haciéndolos reaccionar en una cámara calentada para formar estructuras cristalinas precisas. Este proceso es esencial para fabricar semiconductores compuestos como el arseniuro de galio o el fosfuro de indio, utilizados habitualmente en LED, láseres y dispositivos de RF de alta frecuencia.
We need to recalibrate the MOVPE reactor temperatures before we start the next batch of blue LEDs.
En español sencillo Tenemos que recalibrar las temperaturas del reactor MOVPE antes de empezar el siguiente lote de LED azules.
También se escucha como
- MOCVD
- metalorganic vapor-phase epitaxy
Términos relacionados
MOCVD
La deposición química de vapor mediante compuestos organometálicos (metalorganic chemical vapor deposition) es una técnica para hacer crecer capas cristalinas para crear estructuras semiconductoras complejas.
Wafer
Una lámina de material semiconductor altamente pulida que se utiliza como base para fabricar circuitos integrados.