Metal-óxido-semiconductor (MOS) se refiere a la pila física de materiales utilizados para fabricar la región de puerta de un transistor de efecto de campo. Una capa conductora de metal o polisilicio se asienta sobre una fina capa aislante de dióxido de silicio, que descansa sobre un sustrato de silicio dopado. Al aplicar una tensión a la puerta se crea un campo eléctrico que controla el flujo de corriente en el sustrato situado debajo.
The new fab line is optimized for advanced MOS processes, but we're still seeing unacceptable gate leakage.
En español sencillo La nueva línea de fabricación está optimizada para procesos MOS avanzados, pero seguimos observando fugas de puerta inaceptables.
Aunque la 'M' significa metal, el polisilicio sustituyó en gran medida al metal real como material de puerta en muchos procesos de fabricación históricos y actuales.
Términos relacionados
MOSFET
Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor es un interruptor controlado por tensión que se utiliza para amplificar o conmutar señales electrónicas.
CMOS
Semiconductor complementario de óxido metálico es la tecnología de fabricación dominante para circuitos integrados.
pMOS
Un transistor de efecto de campo que utiliza portadores de carga positiva para conducir la corriente.
nMOS
Un tipo de transistor de efecto de campo que utiliza electrones cargados negativamente como portadores de carga primarios.