Multi-level cell es una tecnología de memoria flash que distingue entre múltiples niveles de tensión dentro de un único transistor de puerta flotante para almacenar dos bits de datos. Al tener cuatro estados de carga distintos, duplica la densidad de almacenamiento en comparación con las celdas de un solo nivel. La contrapartida es una menor velocidad de escritura, tolerancias de tensión más estrictas y un número reducido de ciclos de programación/borrado antes de que la celda se degrade.
We can't use consumer MLC NAND for the automotive module because it won't survive the required write endurance specs.
En español sencillo No podemos utilizar NAND MLC de consumo para el módulo de automoción porque no sobrevivirá a las especificaciones de resistencia de escritura requeridas.
No lo confunda con
- TLC: MLC almacena tradicionalmente dos bits por celda, mientras que TLC (triple-level cell) almacena tres, lo que aumenta aún más la densidad pero reduce la durabilidad.
Términos relacionados
Flash memory
Un medio de almacenamiento electrónico no volátil para ordenadores que se puede borrar y reprogramar eléctricamente.
SSD
Una unidad de estado sólido es un dispositivo de almacenamiento que utiliza memoria flash en lugar de platos magnéticos giratorios.
TLC
Celda de triple nivel, un tipo de memoria flash que almacena tres bits de datos por celda de memoria.
EEPROM
Memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente es un chip de almacenamiento no volátil.