Multi-Level Cell ist eine Flash-Speichertechnologie, die zwischen mehreren Spannungspegeln innerhalb eines einzelnen Floating-Gate-Transistors unterscheidet, um zwei Bit an Daten zu speichern. Durch vier unterschiedliche Ladungszustände verdoppelt sie die Speicherdichte im Vergleich zu Single-Level-Zellen. Die Nachteile sind langsamere Schreibgeschwindigkeiten, engere Spannungstoleranzen und eine geringere Anzahl von Schreib- und Löschzyklen, bevor die Zelle degradiert.
We can't use consumer MLC NAND for the automotive module because it won't survive the required write endurance specs.
In klarem Deutsch Wir können keinen MLC-NAND aus dem Consumer-Bereich für das Steuergerät im Automobil verwenden, da er die geforderten Spezifikationen für die Schreibdauerleistung nicht übersteht.
Nicht zu verwechseln mit
- TLC: MLC speichert traditionell zwei Bit pro Zelle, während TLC (Triple-Level Cell) drei Bit speichert, was die Dichte weiter erhöht, aber die Lebensdauer verringert.
Verwandte Begriffe
Flash memory
Ein elektronisches, nichtflüchtiges Computerspeichermedium, das elektrisch gelöscht und umprogrammiert werden kann.
SSD
Ein Solid-State-Drive ist ein Speichergerät, das Flash-Speicher anstelle von rotierenden Magnetplatten verwendet.
TLC
Triple-level cell, ein Typ von Flash-Speicher, der drei Bit an Daten pro Speicherzelle speichert.
EEPROM
Ein elektrisch löschbarer, programmierbarer Festwertspeicher ist ein nichtflüchtiger Speicherchip.