El Gunn effect (efecto Gunn) se produce en ciertos semiconductores compuestos como el arseniuro de galio cuando una tensión de CC aplicada supera un umbral crítico. En lugar de un flujo de corriente constante, los electrones forman dominios que viajan a través del material, generando oscilaciones de frecuencia de microondas. Esta resistencia diferencial negativa es el principio de funcionamiento de los diodos Gunn utilizados en transmisores de radar y microondas.
Escuchado en el trabajo
We can exploit the Gunn effect in this GaAs diode to generate a clean 10 gigahertz signal for the local oscillator.
En español sencillo Podemos explotar el Gunn effect en este diodo de GaAs para generar una señal limpia de 10 gigahercios para el oscilador local.