Le Gunn effect (effet Gunn) se produit dans certains semi-conducteurs composés comme l'arséniure de gallium lorsqu'une tension continue appliquée dépasse un seuil critique. Au lieu d'un flux de courant stable, les électrons forment des domaines qui se déplacent à travers le matériau, générant des oscillations à fréquence micro-onde. Cette résistance différentielle négative est le principe de fonctionnement des diodes Gunn utilisées dans les radars et les émetteurs micro-ondes.
Entendu sur le terrain
We can exploit the Gunn effect in this GaAs diode to generate a clean 10 gigahertz signal for the local oscillator.
En français simple Nous pouvons exploiter le Gunn effect dans cette diode GaAs pour générer un signal propre de 10 gigahertz pour l'oscillateur local.