Der Gunn effect tritt in bestimmten Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid auf, wenn eine angelegte Gleichspannung einen kritischen Schwellenwert überschreitet. Anstelle eines gleichmäßigen Stromflusses bilden die Elektronen Domänen, die durch das Material wandern und Mikrowellenfrequenz-Oszillationen erzeugen. Dieser negative differenzielle Widerstand ist das Funktionsprinzip von Gunn-Dioden, die in Radar- und Mikrowellensendern eingesetzt werden.
Am Arbeitsplatz gehört
We can exploit the Gunn effect in this GaAs diode to generate a clean 10 gigahertz signal for the local oscillator.
In klarem Deutsch Wir können den Gunn effect in dieser GaAs-Diode nutzen, um ein sauberes 10-Gigahertz-Signal für den Lokaloszillator zu erzeugen.