Un transistor de efecto de campo (FET) se basa en un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal semiconductor. La tensión aplicada al terminal de puerta altera la anchura del canal de portadores de carga entre la fuente y el drenaje, actuando eficazmente como una resistencia controlada por tensión. Debido a que casi no consumen corriente de entrada en la puerta, estos dispositivos ofrecen una alta impedancia de entrada y son los componentes fundamentales de la mayoría de los circuitos integrados.
Check the datasheet to see if that FET can handle the gate drive voltage before we spin the new board revision.
En español sencillo Compruebe la hoja de datos para ver si ese FET puede soportar la tensión de excitación de la puerta antes de lanzar la nueva revisión de la placa.
Al solucionar problemas en un circuito muerto, recuerde que un FET puede destruirse fácilmente por electricidad estática si la puerta se deja flotante.
Términos relacionados
MOSFET
Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor es un interruptor controlado por tensión que se utiliza para amplificar o conmutar señales electrónicas.
JFET
Tipo de transistor de efecto de campo que utiliza una unión polarizada en inversa para controlar la corriente.
Source
El terminal de un transistor de efecto de campo por donde los portadores de carga mayoritarios entran al canal.
Drain
Uno de los tres terminales principales de un transistor de efecto de campo.