Gating off se refiere a retirar la señal de excitación o aplicar una polarización inversa a la puerta de un interruptor semiconductor, como un MOSFET, IGBT o GTO. Esta acción obliga al dispositivo a dejar de conducir corriente entre sus terminales principales. Requiere superar rápidamente la capacitancia interna de la estructura de la puerta para minimizar las pérdidas por conmutación.
Make sure the driver can source enough reverse current to gate off the IGBT before the next switching cycle.
En español sencillo Asegúrese de que el controlador pueda suministrar suficiente corriente inversa para hacer gate off al IGBT antes del siguiente ciclo de conmutación.
Términos relacionados
MOSFET
Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor es un interruptor controlado por tensión que se utiliza para amplificar o conmutar señales electrónicas.
IGBT
Un dispositivo semiconductor de potencia que combina un accionamiento de puerta sencillo con una alta capacidad de corriente.
Thyristor
Dispositivo semiconductor de cuatro capas que actúa como interruptor biestable para aplicaciones de alta potencia.
Turn-off time
El tiempo necesario para que un semiconductor de conmutación pase de conducir plenamente a bloquear por completo.