Lanthan-Zirkonium-Oxid. Es ist ein spezielles dielektrisches Material, das in der Halbleiterfertigung zur Isolierung von Gatterstrukturen verwendet wird. Da es eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist, ermöglicht es den Herstellern, Isolierschichten physikalisch dicker zu machen, um das Tunneln von Elektronen zu verhindern, während gleichzeitig eine hohe Kapazität erhalten bleibt.
We're evaluating LZO deposition rates for the next generation of gate oxides to reduce leakage currents.
In klarem Deutsch Wir evaluieren die LZO-Abscheidungsraten für die nächste Generation von Gate-Oxiden, um Leckströme zu reduzieren.
Verwandte Begriffe
Wafer
Eine hochglanzpolierte Scheibe aus Halbleitermaterial, die als Grundlage für die Herstellung integrierter Schaltungen dient.
MOSFET
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist ein spannungsgesteuerter Schalter, der zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet wird.
Doped
Beschreibt ein reines Halbleitermaterial, das gezielt mit Verunreinigungen versetzt wurde, um seine elektrischen Eigenschaften zu verändern.