Wenn ein Bipolartransistor in die harte Sättigung getrieben wird, fluten überschüssige Ladungsträger den Basisbereich. Die storage time (Sperrverzögerungszeit) misst das Zeitintervall, das erforderlich ist, um diese Ladungsträger nach dem Ausschalten des Eingangs abzubauen, was den tatsächlichen Abfall des Kollektorstroms verzögert. Entwickler müssen diese Verzögerung in schnellen Schaltschaltungen berücksichtigen, um Timing-Fehler oder Brückenkurzschlüsse zu verhindern.
We're getting too much shoot-through in the half-bridge because the storage time on these bipolars is dragging out past 200 nanoseconds.
In klarem Deutsch Wir bekommen zu viele Brückenkurzschlüsse in der Halbbrücke, weil sich die storage time bei diesen Bipolartransistoren auf über 200 Nanosekunden hinzieht.
Das Hinzufügen eines Kondensators parallel zum Basiswiderstand sorgt für eine vorübergehende Sperrstromspitze, die die gespeicherte Ladung aktiv ausräumt und die storage time drastisch verkürzt.
Verwandte Begriffe
Turn-off time
Die Zeitspanne, die ein schaltender Halbleiter benötigt, um vom voll leitenden in den voll sperrenden Zustand überzugehen.
Fall time
Die Zeitspanne, die ein digitales Signal benötigt, um von einem High-Zustand in einen Low-Zustand zu wechseln.
Propagation delay
Die Zeit, die ein Logiksignal benötigt, um ein Gatter zu durchlaufen und seinen Ausgangszustand zu ändern.