Der Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode ist ein spannungsgesteuerter Schalter, der hauptsächlich in Hochleistungsanwendungen eingesetzt wird. Er nutzt ein isoliertes Gate zur Steuerung des Bauteils, was nur sehr wenig Steuerstrom erfordert, während der Hauptleitungspfad wie ein Bipolartransistor arbeitet, um enorme Ströme bei geringem Durchlassspannungsabfall zu bewältigen. Sie sind die Standardwahl für Frequenzumrichter, Wechselrichter für Elektrofahrzeuge und Industrieschweißgeräte.
The motor controller faulted out because one of the high-side IGBTs shorted and blew the main fuse.
In klarem Deutsch Die Motorsteuerung ist ausgefallen, weil einer der High-Side-IGBTs einen Kurzschluss hatte und die Hauptsicherung durchgebrannt ist.
Nicht zu verwechseln mit
- MOSFET: MOSFETs schalten schneller und eignen sich besser für niedrige Spannungen, während IGBTs weitaus höhere Spannungen und Ströme bewältigen, aber langsamer schalten.
Verwandte Begriffe
MOSFET
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist ein spannungsgesteuerter Schalter, der zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet wird.
Power electronics
Der Zweig der Elektrotechnik, der sich mit der Umwandlung und Steuerung von elektrischer Energie befasst.
Power inverter
Ein elektronisches Gerät oder ein Schaltkreis, der Gleichstrom (DC) in Wechselstrom (AC) umwandelt.
Gate off
Einen Transistor oder Thyristor durch Manipulation der Spannung an seinem Gate-Anschluss ausschalten.